矽材料做不到，化合物半導體來做

中國通美計畫在 2026 與 2027 年將 InP 基板產能翻倍，並已積壓逾一億美元訂單。然而營收能否認列仍取決於中國商務部出口許可證核發與美國審查進度。InP 基板需求確定性極高，但短期營收與獲利受制於管制審查進度與六吋良率爬坡

2026 年第二季營收 12.21 億元、毛利率 57.5%，上半年 EPS 達 7.75 元，規劃未來幾年投入資本支出將產能提升至 2.5 倍。主打 CW 雷射技術並主張與 EML 依應用場景互補。受惠北美雲端巨頭與 強勁需求，磊晶擴產積極且獲利能力大幅提升

作為台積電矽光子封裝夥伴並取得 CPO 訂單，2026 年大幅增加資本支出投入 CPO FAU 自動化產線，配合 Vera Rubin 架構於下半年啟動出貨。目前 CPO 滲透率僅 0.5%，股價題材熱度領先財報數字，需緊盯量產認證與實際出貨進度

FY2026 Q4 營收年增 109%、每股盈餘 3.23 美元，EML 雷射供需缺口達三成以上且產能持續滿載，同時配置 CW 雷射支援 200G 矽光子。EML 雷射嚴重供不應求帶來強大訂價權，營運利益率擴張趨勢明確

FY2026 Q4 營收創紀錄達 20.5 億美元，領先推動六吋 InP 晶圓產線量產，單位產出達三吋 4 倍且成本減半，內部模組需求優先消化磊晶產能。六吋 InP 轉型效益顯著提升產能與毛利率，帶動單季營收向 30 億美元目標邁進

AI 資料中心間傳輸速率推進至 800G/1.6T，需求急升逼近矽材料物理極限，帶動 InP 基板、磊晶與雷射晶粒全鏈嚴重供不應求。光傳輸速率升級強迫產業轉向化合物半導體，供應鏈各環節具備長期高成長確定性

化合物半導體材料物理特性雖早已知悉，但隨著 AI 傳輸與功耗撞上矽天花板，製程瓶頸從晶片設計轉向基板與磊晶。半導體瓶頸正從軟體與運算算力轉移至化合物材料的物理極限與良率爬坡

重組後削減七成債務並產出八吋 SiC 晶圓，成立專屬團隊鎖定 AI 資料中心高壓降壓方案。脫離破產保護後轉向 AI 資料中心敘事，但仍需觀察自由現金流與八吋晶圓良率能否改善實質財務體質

發表 800V 直接降壓至 6V 的 DC-DC 電源轉換板，並規劃從 AC/DC 替代逐步推進至 GPU 核心負載與固態變壓器。GaN 在 800V 直流電源架構中貼近核心晶片降壓，長線單機櫃產品價值量提升確定性高

AI 伺服器機櫃功耗逼近 1200W 以上，推動電源架構升級至 800V 直流規格，需要 SiC 負責高壓大電流轉換與 GaN 負責高頻小尺寸降壓。伺服器功耗爆發倒逼電源系統結構升級，化合物功率半導體成為 AI 基建升級的剛性需求